Simulation of intersubband transition in GaN-AlN multiple quantum wells
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复制标题
GaN-AlN 多量子阱中子带间跃迁的模拟
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Sugiyama and Y. Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Itoh;H. Sodabanlu;M. Sugiyama and Y. Nakano
