E.Tokumitsu, G.Fujii, and H.Ishiwara: "Electrical Properties of MFS-FETs Using SrBi_2Ta_2O_9 Films directly Grown on Si Substrates by Sol1-Gel Method" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.493. 459-464 (1998)
E.Tokumitsu, G.Fujii, and H.Ishiwara: "Electrical Properties of MFS-FETs Using SrBi_2Ta_2O_9 Films directly Grown on Si Substrates by Sol1-Gel Method" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.493. 459-464 (1998)
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E.Tokumitsu、G.Fujii 和 H.Ishiwara：“通过 Sol1-Gel 方法直接在 Si 衬底上生长的 SrBi_2Ta_2O_9 薄膜的 MFS-FET 的电性能”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.493。
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