Effects of spin‐flip tunneling on temperature and voltage dependence of TMR
Effects of spin‐flip tunneling on temperature and voltage dependence of TMR
复制标题
自旋翻转隧道效应对 TMR 温度和电压依赖性的影响
DOI：
10.1002/pssb.200777262
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Inoue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. Takada;J. Ozeki;H. Itoh;J. Inoue
我们使用考虑自旋翻转隧穿的唯象理论研究了隧道磁电阻（TMR）的温度和电压依赖性。我们发现，当自旋翻转隧穿存在时，温度依赖性变得很强。（© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
We study the temperature and voltage dependence of the tunnel magnetoresistance (TMR) using a phenomenological theory which takes into account the spin‐flip tunneling. We show that the temperature dependence becomes strong when the spin‐flip tunneling exists. (© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
DOI：
10.1143/jjap.42.l419
发表时间：
2003-04-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
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作者：
Inomata, K;Okamura, S;Tezuka, N
通讯作者：
Tezuka, N