量子ホール状態ν=2/3付近における抵抗増大状態の充填率依存性
量子ホール状態ν=2/3付近における抵抗増大状態の充填率依存性
复制标题
量子霍尔态附近增加电阻态的填充因子依赖性 ν=2/3
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
澤田 安樹
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
三谷 昌平，津田 是文;Nguyen Minh-Hai;寺澤 大樹;福田 昭;澤田 安樹
