N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE
N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE
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通过优化 MOVPE 生长具有平坦界面的 N 极 GaN MIS-HEMT
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Prasertsuk;T. Tanikawa;T. Kimura;S. Kuboya;T. Suemitsu;T. Matsuoka
