R & D of a pixel sensor based on 0.15 μm fully depleted SOI technology

R & D of a pixel sensor based on 0.15 μm fully depleted SOI technology
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基于0.15μm全耗尽型SOI技术的像素传感器研发

DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
Nuclear Instruments and Method A (in press)
影响因子:
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通讯作者:
Y.Arai et al.
Y.Arai et al.
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
T.Tsuboyama;Y.Arai et al.

文献摘要

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