Selective epitaxial growth of Ge(1 1 0) in trenches using the aspect ratio trapping technique
Selective epitaxial growth of Ge(1 1 0) in trenches using the aspect ratio trapping technique
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使用深宽比捕获技术在沟槽中选择性外延生长 Ge(1 1 0)
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.01.003
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发表时间：
2010
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Billon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Destefanis;J. Hartmann;L. Baud;V. Delaye;T. Billon
