InGaN/GaN多重量子井戸構造における局在状態からの発光特性
InGaN/GaN多重量子井戸構造における局在状態からの発光特性
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InGaN/GaN 多量子阱结构中局域态的发射特性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岸野 克巳,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金城 一哉;猪瀬 裕太;江馬 一弘;中岡 俊裕;大音 隆男;岸野 克巳,
