Using deep RIE for micromachining SOI wafers
Using deep RIE for micromachining SOI wafers
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使用深度 RIE 进行 SOI 晶圆微加工
DOI：
10.1109/ectc.2002.1008252
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Khe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Belov;N. Khe
本文总结了我们的经验，深反应离子刻蚀硅的MEMS应用，包括光学MEMS和传感器，重点是SOI晶片的深反应离子刻蚀。大多数报道的结果已经实现了使用STS ICP RIE蚀刻机与机械卡盘。讨论的主要问题是：深RIE的MEMS应用，晶片/结构过热，掩蔽材料，整个晶片的蚀刻深度不均匀性，和蚀刻剖面的特殊工具。
The paper summarizes our experience with deep RIE etching of silicon for MEMS applications, including optical MEMS and sensors, with emphasis on deep RIE of SOI wafers. Most of the reported results have been achieved using the STS ICP RIE etcher with a mechanical chuck. The major issues discussed are: special tooling for deep RIE for MEMS applications, wafer/structures overheating, masking materials, etch depth non-uniformity across the wafer, and etch profile.