ウエハ接合法を用いたSi基板上へのInAs/GaAs量子ドットの集積(II)
ウエハ接合法を用いたSi基板上へのInAs/GaAs量子ドットの集積(II)
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采用晶圆键合方法在Si衬底上集成InAs/GaAs量子点（二）
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森雅彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡野誠;天野建;五島敬史郎;山本宗継;菅谷武芳;小森和弘;森雅彦
