MOVPE and MBE Growth of GaN-based Heterostructures on h-BN Release Layers
MOVPE and MBE Growth of GaN-based Heterostructures on h-BN Release Layers
复制标题
h-BN 释放层上 GaN 基异质结构的 MOVPE 和 MBE 生长
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Kumakura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kobayashi;M. Hiroki;and K. Kumakura
