High resolution electron microscopy of GaAs capped GaSb nanostructures
High resolution electron microscopy of GaAs capped GaSb nanostructures
复制标题
GaAs 覆盖的 GaSb 纳米结构的高分辨率电子显微镜
DOI：
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发表时间：
2009
影响因子：
4
通讯作者：
M. Chisholm
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Molina;A. Beltrán;T. Ben;P. Galindo;E. Guerrero;A. Taboada;J. M. Ripalda;M. Chisholm
我们在这项工作中表明，通过分子束外延生长的 2 ML GaSb 的 GaAs 封盖导致形成非常小的（高度约为 1 nm）GaAsxSb1−x 纳米结构，周围环绕着富含 GaAs 层。这一结论是通过在 Z 衬度模式下使用高分辨率扫描透射电子显微镜分析 GaAsxSb1−x 纳米结构的形貌而得出的。该结果表明，在 GaAs 覆盖过程中，很大一部分 Sb 原子必须沿着生长方向偏析。
We show in this work that GaAs capping of 2 ML of GaSb grown by molecular beam epitaxy results in the formation of very small (with heights of about 1 nm) GaAsxSb1−x nanostructures surrounded by a GaAs rich layer. This conclusion is obtained by analyzing the morphology of the GaAsxSb1−x nanostructures by high resolution scanning transmission electron microscopy in Z-contrast mode. This result shows that a significant fraction of the Sb atoms must segregate along the growth direction during the GaAs capping process.