Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
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通过分析 InGaN/GaN 多量子阱发光二极管中载流子密度依赖性来了解下降效应
DOI：
10.1016/j.spmi.2016.05.037
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发表时间：
2016
影响因子：
3.1
通讯作者：
Du Guotong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Wei;Zhao Degang;Jiang Desheng;Chen Ping;Liu Zongshun;Zhu Jianjun;Yang Jing;He Xiaoguang;Li Xiaojing;Li Xiang;Liang Feng;Liu Jianping;Zhang Liqun;Yang Hui;Zhang Yuantao;Du Guotong
