光照射C-V測定による窒化SiO2/SiC界面における深い準位の評価
光照射C-V測定による窒化SiO2/SiC界面における深い準位の評価
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使用光照射 C-V 测量评估氮化物 SiO2/SiC 界面的深层能级
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
立木馨大 鐘ヶ江一考 木本恒暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
立木 馨大;金子 光顕;小林 拓真;木本 恒暢;立木馨大 鐘ヶ江一考 木本恒暢
