Second-harmonic generation in AlGaAs-on-insulator waveguides

Second-harmonic generation in AlGaAs-on-insulator waveguides
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DOI：
10.1364/ol.44.001339
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发表时间：
2019-03-15
期刊：
OPTICS LETTERS
影响因子：
3.6
通讯作者：
Sorel, Marc
Sorel, Marc
中科院分区：
物理与天体物理2区
文献类型：
--
作者：
May, Stuart;Kues, Michael;Sorel, Marc

文献摘要

被引文献

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在电信波长的绝缘体上 AlGaAs 波导中演示了二次谐波的产生。使用该材料平台，对于 1560 nm 的 100 fs 脉冲激发波长，可实现 1202 +/- 55% W-1 cm(-2) 的最大内部归一化效率。这一发现对于实现用于传感、计量和量子光学的新型芯片级设备非常重要。 (C) 2019 美国光学学会
Second-harmonic generation is demonstrated in AlGaAs-on-insulator waveguides at telecom wavelengths. Using this material platform, a maximum internal normalized efficiency of 1202 +/- 55% W-1 cm(-2) is achieved for a 100 fs pulsed excitation wavelength at 1560 nm. This finding is important towards enabling new chip-scale devices for sensing, metrology, and quantum optics. (C) 2019 Optical Society of America