Inverse design of Si-based high-performance vertical emitting metagrating coupler on 220 nm silicon-on-insulator platform
Inverse design of Si-based high-performance vertical emitting metagrating coupler on 220 nm silicon-on-insulator platform
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220 nm绝缘体硅平台上硅基高性能垂直发射元光栅耦合器的逆向设计
DOI：
10.1364/prj.473978
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发表时间：
2023
影响因子：
7.6
通讯作者：
H. Kurt
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jinhyeong Yoon;Jae;Junhyeong Kim;H. Yoon;Berkay Neseli;HyoDerk Park;H. Kurt
