Suppression of short channel effects by full inversion in deep sub-micron gate SOI MOSFETs
Suppression of short channel effects by full inversion in deep sub-micron gate SOI MOSFETs
复制标题
通过深亚微米栅极 SOI MOSFET 中的完全反转来抑制短沟道效应
DOI：
10.1016/s0038-1101(01)00131-9
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发表时间：
2001
影响因子：
1.7
通讯作者：
T. Sugano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hanajiri;Toru Toyabe;T. Sugano
