Thermally induced carbon–oxygen complexes in GaAs
Thermally induced carbon–oxygen complexes in GaAs
复制标题
GaAs 中的热诱导碳氧复合物
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Jurisch
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. Ulrici;M. Jurisch
在LEC生长的含氧GaAs中，在（700 ± 100）°C长时间退火后，在T = 7 K时，在2059.6 cm-1处观察到振动吸收线。这条线是由于12 C-16 O复合物的伸缩模式，因为在2003.8 cm-1处观察到了由于同位素位移的13 C-16 O模式引起的线。在此频率范围内发现的其他几个12 C-16 O伸缩模被分配给不同环境的C-O复合物。由于氧原子的迁移性，在700 °C左右形成C-O络合物成为可能。在相同的退火过程后，在1828.2和1891.4 cm-1处测量到两条振动线，并将其归属于11B-16 O（10 B-16 O）络合物的伸缩模。（© 2005 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
In LEC‐grown oxygen‐containing GaAs, a vibrational absorption line is observed at 2059.6 cm–1 for T = 7 K after long‐time annealing at (700 ± 100) °C. This line is due to the stretching mode of a 12C–16O complex, since the line due to the isotopically shifted 13C–16O mode is observed at 2003.8 cm–1. Several other 12C–16O stretching modes found in this frequency region are assigned to C–O complexes with different environments. The formation of C–O complexes around 700 °C becomes possible as a result of the mobility of oxygen atoms. After the same annealing procedure, two vibrational lines are measured at 1828.2 and 1891.4 cm–1 for T = 7 K and assigned to the stretching modes of an 11B–16O (10B–16O) complex. (© 2005 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)