H.Nakazawa: "Formation of High Quality SiC on Si(100) at 900C using Monomethylsilane Gas-Source MBE"lCSCRM Proceedings. (2000)
H.Nakazawa: "Formation of High Quality SiC on Si(100) at 900C using Monomethylsilane Gas-Source MBE"lCSCRM Proceedings. (2000)
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H.Nakazawa：“使用单甲基硅烷气源 MBE 在 900C 在 Si(100) 上形成高质量 SiC”lCSCRM 论文集。
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