n-Si薄膜/p-Si構造の形成と温度勾配付与時の電位分布観察
n-Si薄膜/p-Si構造の形成と温度勾配付与時の電位分布観察
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n-Si薄膜/p-Si结构的形成以及施加温度梯度时电位分布的观察
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岡坂達也 木瀬浩輝 松川祐子 有田誠 宗藤伸治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小松龍司;成田翔矢;宍木直茂;中村光輝;吉澤正人;脇舎和平;中西良樹;岡坂達也 木瀬浩輝 松川祐子 有田誠 宗藤伸治
