Effect of Cu excess on three-stage CuGaSe2 thin films using in-situ process controls
Effect of Cu excess on three-stage CuGaSe2 thin films using in-situ process controls
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使用原位过程控制研究过量铜对三阶段 CuGaSe2 薄膜的影响
DOI：
10.1016/j.tsf.2006.12.062
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
M. Lux‐Steiner
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Caballero;S. Siebentritt;K. Sakurai;C. Kaufmann;H. Schock;M. Lux‐Steiner
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Ohmu-sba. 2nd Edition
影响因子：
--
作者：
S. Shimomura;R. Kimpara
通讯作者：
R. Kimpara