基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の窒化物半導体応用
基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の窒化物半導体応用
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利用基态氧原子化学气相沉积氧化硅薄膜的氮化物半导体应用
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
若原昭浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
馬場真人;垣内佑斗;岡田浩;古川雅一;山根啓輔;関口寛人;若原昭浩
