Surface recombination mechanism in hexagonal GaN crystals
Surface recombination mechanism in hexagonal GaN crystals
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六方氮化镓晶体的表面复合机制
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.A.Yamaguchi T.Honda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Sakai;T.Onuma;T.Okuhata;A.A.Yamaguchi T.Honda
