Carrier Recombination Processes in GaAs- and GaN-Based Semiconductors and Optical Characterization of Defect Levels,
Carrier Recombination Processes in GaAs- and GaN-Based Semiconductors and Optical Characterization of Defect Levels,
复制标题
GaAs 和 GaN 基半导体中的载流子复合过程以及缺陷能级的光学表征，
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Norihiko Kamata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
渋田 昌弘，山元 一生，太田 努;中嶋 敦;Norihiko Kamata
