Room-temperature local magnetoresistance effect in n-Ge lateral devices
Room-temperature local magnetoresistance effect in n-Ge lateral devices
复制标题
n-Ge横向器件中的室温局域磁阻效应
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and K. Hamaya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Tsukahara;M. Yamada;T. Naito;S. Yamada;K. Sawano;and K. Hamaya
