A Novel Reconfigurable Sensing Scheme for Variable Level Storage in Phase Change Memory
A Novel Reconfigurable Sensing Scheme for Variable Level Storage in Phase Change Memory
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相变存储器中可变级存储的新型可重构传感方案
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Chung Lam
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jing Li;Chao;S. Lewis;J. Morrish;Tien;R. Jordan;T. Maffitt;M. Breitwisch;A. Schrott;R. Cheek;H. Lung;Chung Lam
不适用
NA