Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by Electron-Cyclotron- Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition in a SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate
Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by Electron-Cyclotron- Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition in a SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate
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无衬底 SiH_4-B_2H_6-H_2 气体混合物中电子回旋共振 Ar 等离子体化学气相沉积在 Si(100) 上外延生长 B 掺杂 Si
DOI：
10.1016/j.tsf.2013.08.118
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
M.Sakuraba and J.Murota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Abe;M.Sakuraba and J.Murota
