High Performance Extremely-thin Body InAs-On-Insulator MOSFETs on Si with Ni-InGaAs Metal S/D by Contact Resistance Reduction Technology
High Performance Extremely-thin Body InAs-On-Insulator MOSFETs on Si with Ni-InGaAs Metal S/D by Contact Resistance Reduction Technology
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采用接触电阻降低技术的 Ni-InGaAs 金属 S/D 的硅基高性能极薄体 InAs 绝缘体 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. H. Kim;M. Yokoyama;R. Nakane;O. Ichikawa;T. Osada;M. Hata;M. Takenaka and S. Takagi
