Kunihide Tashibana: "Behavior of F Atoms and CF_2 Radicals in Fluorocarbon Plasmas for SiO_2/Si Etching"Jpn. J. Appl. Phys.. 38.7B. 4367-4372 (1999)
Kunihide Tashibana: "Behavior of F Atoms and CF_2 Radicals in Fluorocarbon Plasmas for SiO_2/Si Etching"Jpn. J. Appl. Phys.. 38.7B. 4367-4372 (1999)
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Kunihide Tashibana：“F原子和CF_2自由基在氟碳等离子体中用于SiO_2/Si蚀刻的行为”Jpn。
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