Surface-modified GaAs terahertz plasmon emitter
Surface-modified GaAs terahertz plasmon emitter
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DOI：
10.1063/1.1497192
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发表时间：
2002-07-29
影响因子：
4
通讯作者：
Unterrainer, K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Darmo, J;Strasser, G;Unterrainer, K
我们研究了由低温生长 (LT) GaAs 表面层修饰的 n-GaAs 等离子体发射器的太赫兹发射。由于 LT GaAs 将费米能级固定在中间能隙位置，从而增加了表面耗尽场，因此太赫兹发射增加。对于具有 70 nm 厚 LT GaAs 层的太赫兹发射器，我们在没有外部场的情况下观察到太赫兹发射强度为 140 nW。此外，LT GaAs 表面层还改善了改进发射极的长期性能。 (C) 2002 年美国物理研究所。
We studied the THz emission from n-GaAs plasmon emitters modified by low-temperature-grown (LT) GaAs surface layers. The THz emission is increased since the LT GaAs pins the Fermi level at a midgap position, increasing the surface depletion field. For a THz emitter with a 70-nm-thick LT GaAs layer we observe without external fields a THz emission intensity of 140 nW. In addition, the long-term performance of the modified emitters is improved by the LT GaAs surface layer. (C) 2002 American Institute of Physics.