Solution-processed thin film transistors incorporating YSZ gate dielectrics processed at 400 °C
Solution-processed thin film transistors incorporating YSZ gate dielectrics processed at 400 °C
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采用溶液处理薄膜晶体管，采用 400°C 温度下处理的 YSZ 栅极电介质
DOI：
10.1063/5.0079195
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
6.1
通讯作者：
Antoniou G
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Antoniou G
