T.Suemasu: "Room Temperature 1.6μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi_2, Active Region"Japanese Journal of Applied Physics. Vol.39,No.10B. L1013-L1015 (2000)
T.Suemasu: "Room Temperature 1.6μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi_2, Active Region"Japanese Journal of Applied Physics. Vol.39,No.10B. L1013-L1015 (2000)
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T.Suemasu：“带有 β-FeSi_2 的硅基发光二极管的室温 1.6μm 电致发光，活性区域”日本应用物理学杂志，第 39 卷，第 10B 期（2000 年）。
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