Formation of relaxed SiGe films on Si by selective epitaxial growth
Formation of relaxed SiGe films on Si by selective epitaxial growth
复制标题
通过选择性外延生长在 Si 上形成弛豫 SiGe 薄膜
DOI：
10.1016/s0040-6090(00)00850-6
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Y. Shiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kawaguchi;N. Usami;Y. Shiraki
