Fabrication of Buried Active Layer Type Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates

Fabrication of Buried Active Layer Type Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates
复制标题

硅衬底上埋置有源层型氟化物谐振隧道二极管的制作

DOI：
--
复制
发表时间：
2002
期刊：
Domestic Conf.of Japan Soc.Applied Physics, Spring Meeting, [in Japanese] (28a-K-1)
影响因子：
--
通讯作者：
K.Tsutsui
K.Tsutsui
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
S.Watanabe;H.Kambayashi;H.Sekine;K.Tsutsui

文献摘要

被引文献

相似文献