Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+-Ion Implanted Bulk-Si Substrate
Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+-Ion Implanted Bulk-Si Substrate
复制标题
热碳离子注入体硅衬底中 SiC 纳米点形成的 Si 表面取向依赖性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Sameshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mizuno;M. Yamamoto;T. Aoki;T. Sameshima
