Evaluation of interface traps inside the conduction band of InAs-On-Insulator nMOSFET by self-consistent Hall-QSCV method
Evaluation of interface traps inside the conduction band of InAs-On-Insulator nMOSFET by self-consistent Hall-QSCV method
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采用自洽霍尔 QSCV 方法评估 InAs-On-Insulator nMOSFET 导带内的界面陷阱
DOI：
10.1063/5.0057182
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Sumita;K. Toprasertpong;M. Takenaka and S. Takagi
