Fundamental oscillation up to 1.08THz in resonant tunneling diodes with high-indium-composition transit layers for reduction of transit delay
Fundamental oscillation up to 1.08THz in resonant tunneling diodes with high-indium-composition transit layers for reduction of transit delay
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具有高铟成分传输层的谐振隧道二极管的基波振荡高达 1.08THz，可减少传输延迟
DOI：
10.1587/elex.9.385
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发表时间：
2012
影响因子：
0.8
通讯作者：
H. Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Teranishi;K.Shizuno;S.Suzuki;M.Asada;H.Sugiyama;H. Yokoyama
