Well-width and doping-density dependence of 1.35 μm intersubband transition in InGaAs/AlAsSb quantum wells
Well-width and doping-density dependence of 1.35 μm intersubband transition in InGaAs/AlAsSb quantum wells
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InGaAs/AlAsSb 量子阱中 1.35 μm 子带间跃迁的阱宽和掺杂密度依赖性
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Ishikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Gopal;H. Yoshida;T. Simoyama;N. Georgiev;T. Mozume;H. Ishikawa
我们报告了 InGaAs/AlAsSb 多量子阱中 1.35 μm 的子带间吸收，这是通过在阱势垒界面引入一层单层 AlAs 层获得的。观察到的峰值涵盖了 1.2–1.6 μm 的有用通信波长范围。在一系列样品上测量的偏振分辨室温吸收光谱和 77 K 光致发光光谱揭示了 7 和 9 个单层阱中的短波长子带间吸收峰（≈1.35 μm），这些单层阱在阱区域中掺杂密度为⩽2×1018 cm−3。对于较重的掺杂和较窄的孔，我们没有观察到这种转变。
We report 1.35 μm intersubband absorption, in InGaAs/AlAsSb multiquantum wells, obtained by introducing a one monolayer AlAs layer at the well-barrier interface. The observed peak covers the useful communication wavelength range of 1.2–1.6 μm. Polarization-resolved, room-temperature absorption spectra and 77 K photoluminescence spectra measured on a series of samples reveal this short wavelength intersubband absorption peak (≈1.35 μm) in 7 and 9 monolayer wells that are doped in the well region to a density ⩽2×1018 cm−3. For heavier doping and in narrower wells, we do not observe this transition.