Body Doping Dependence of Effective Channel Mobility for SiC MOSFETs with Phosphorus Treatment
Body Doping Dependence of Effective Channel Mobility for SiC MOSFETs with Phosphorus Treatment
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磷处理 SiC MOSFET 有效沟道迁移率的体掺杂依赖性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ito;M. Horita;J. Suda;and T. Kimoto
