Second-Highest-Occupied-Orbital Effects on Valence Band Structure of Organic Semiconductors
Second-Highest-Occupied-Orbital Effects on Valence Band Structure of Organic Semiconductors
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第二高占据轨道对有机半导体价带结构的影响
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kuroda;H. Ishii;S. Yoshino;and N. Kobayashi
