Polarization-induced enhancement of hole injection efficiency in n-ZnO/p-graded AlxGa1-xN heterojunction diodes
Polarization-induced enhancement of hole injection efficiency in n-ZnO/p-graded AlxGa1-xN heterojunction diodes
复制标题
n-ZnO/p 梯度 AlxGa1-xN 异质结二极管中极化引起的空穴注入效率增强
DOI：
10.7567/apex.9.072103
复制
发表时间：
2016
影响因子：
2.3
通讯作者：
Du Guotong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang Junyan;Zhang Yuantao;Yan Long;Chi Chen;Wu Bin;Li Pengchong;Zhang Baolin;Du Guotong
