PLD法によるSi-Ni系フラックス薄膜を介した SiCホモエピタキシャル成長
PLD法によるSi-Ni系フラックス薄膜を介した SiCホモエピタキシャル成長
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使用 PLD 方法通过 Si-Ni 助熔剂薄膜进行 SiC 同质外延生长
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小沼碧海
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Maruyama;Y. Matsumoto;小沼碧海
