Selective meltback etching of GaN layers in liquid-phase electroepitaxial technique
Selective meltback etching of GaN layers in liquid-phase electroepitaxial technique
复制标题
液相电外延技术中 GaN 层的选择性回熔蚀刻
DOI：
10.1016/s0022-0248(96)00835-4
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发表时间：
1997
影响因子：
1.8
通讯作者：
C. T. Foxon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Novikov;T. Cheng;Z. Mahmood;I. Harrison;C. T. Foxon
