Biサーファクタントを用いたGeナノドットの低温形成
Biサーファクタントを用いたGeナノドットの低温形成
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使用 Bi 表面活性剂低温形成 Ge 纳米点
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
後藤秀樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡本浩;林一稀;小林弓華;俵毅彦;舘野功太;章国強;後藤秀樹
