Identification of the Si(001) missing dimer defect structure by low bias voltage STM and LDA modelling
Identification of the Si(001) missing dimer defect structure by low bias voltage STM and LDA modelling
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通过低偏压 STM 和 LDA 建模识别 Si(001) 缺失二聚体缺陷结构
DOI：
10.1016/0039-6028(95)00794-6
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Briggs
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Owen;D. Bowler;C. Goringe;K. Miki;G. Briggs
