Correlation between turn-on recovery characteristics and deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures
Correlation between turn-on recovery characteristics and deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures
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AlGaN/GaN异质结构中导通恢复特性与深能级缺陷的相关性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Kawai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nakano;Y.Irokawa;Y.Sumida;S.Yagi;H.Kawai
