Emergence of Topological semimetal in gap closing in semiconductors without inversion symmetry

Emergence of Topological semimetal in gap closing in semiconductors without inversion symmetry
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无反演对称性的半导体能隙闭合中拓扑半金属的出现

DOI：
--
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发表时间：
2017
期刊：
Science Advances
影响因子：
13.6
通讯作者：
Takashi Miyake
Takashi Miyake
中科院分区：
综合性期刊1区
文献类型：
--
作者：
Shuichi Murakami;Motoaki Hirayama;Ryo Okugawa;Takashi Miyake

文献摘要

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