Mid-wave InAs/GaSb Superlattice PiBN Infrared Photodetector Grown on GaAs Substrate
Mid-wave InAs/GaSb Superlattice PiBN Infrared Photodetector Grown on GaAs Substrate
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GaAs 衬底上生长的中波 InAs/GaSb 超晶格 PiBN 红外光电探测器
DOI：
10.1109/acp.2018.8595800
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Huang J
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Huang J
