Clean and metal‐contaminated Si(110) surfaces studied by RHEED, XPS and STM
Clean and metal‐contaminated Si(110) surfaces studied by RHEED, XPS and STM
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通过 RHEED、XPS 和 STM 研究清洁和金属污染的 Si(110) 表面
DOI：
10.1111/j.1365-2818.1988.tb01412.x
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发表时间：
1870
影响因子：
2
通讯作者：
A. Hoeven
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Loenen;D. Dijkkamp;A. Hoeven
我们用扫描隧道显微镜（STM）在真实的空间中研究了清洁和金属污染的Si（110）表面的原子结构，并将结果与同一晶片样品的反射高能电子衍射（RHEED）数据进行了比较。
We have studied the atomic structure of clean and metal‐contaminated Si(110) surfaces in real space with Scanning Tunnelling Microscopy (STM) and compared the results with Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) data taken on samples from the same wafer.