Reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky-type light-emitting diodes by a surface modification
Reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky-type light-emitting diodes by a surface modification
复制标题
通过表面改性减少GaN基肖特基型发光二极管的反向偏置漏电流
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Igaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Honda;N.Sakai;S.Komiyama;M.Hayashi;T.Igaki
